规格书 |
HUF76639S3ST_F085 |
标准包装 | 800 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 100V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 51A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 26 mOhm @ 51A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 3V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 86nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 2400pF @ 25V |
功率 - 最大 | 180W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
供应商器件封装 | TO-263AB |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
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